Sabtu sore, 7 Oktober 2006, Sekolah Pascasarjana ITB mempromosikan Fitri Suryani Arsyad memperoleh gelar Doktor di bidang Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam. Lulusan program Magister Sains bidang Fisika Material Elektronik Program Studi Fisika ITB tahun 2000 ini telah menempuh pendidikan di Program Doktor program studi yang sama semenjak tahun 2001. Selama mengikuti Program Doktor, Fitri terlibat aktif dalam proyek Ritech 2005, Kantor Menteri Riset dan Teknologi Indonesia, dengan topik riset, Penumbuhan Quantum Don GaN (QD GaN) Menggunakan Metode Plasma Assisted MOCVD. Karenanya, kini Fitri pun mengajukan disertasi masih dalam topik yang sama; desertasinya bertajuk “Penumbuhan Quantum Dot Galium Nitrida (QD Gan) di Atas Film Tipis AlxGa1-xN Menggunakan Metode Plasma Assisted Metal Organic Chemical Vapour Deposition (PA-MOCVD).” Quantum Dot (QD) adalah kristal semikonduktor berukuran nanometer yang berfungsi sebagai ruang potensial non dimensi bagi elektron-elektron dan hole-hole. Di dalam QD, elektron dan hole terkurung dan terbatas geraknya dalam arah tiga dimensi sehingga energinya bernilai diskrit dan rapat keadaannya seperti fungsi delta. Keunikan ini telah menghasilkan sifat-sifat optik dan elektronik baru dalam aplikasinya. Quantum Dot GaN adalah QD berbasis semikonduktor galium nitrida yang merupakan material generasi baru karena memiliki sifat-sifat yang lebih unggul dibandingkan dengan semikonduktor lainnya. Metode penumbuhan GaN yang biasa digunakan adalah metode penumbuhan self assembling menggunakan Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) dan Molecular Beam Epitaxy (MBE). Temperatur pernumbuhan QD GaN dengan metode MOCVD termal berkisar antara 1060-1100 derajat Celcius. Tingginya temperatur penumbuhan ini dapat menyebabkan jarak migrasi atom-atom mengikat sehingga menghasilkan kerapatan dot yang rendah. Dalam penelitian desertasinya, Fitri mencoba menumbuhkan QD GaN dengan menggunakan metode Plasma Assisted MOCVD (PA MOCVD). Dengan metode ini, plasma nitrogen digunakan sebagai sumber nitrogen yang kemudian bereaksi dengan trimetilgalium (TMGa) membentuk GaN. Penggunaan plasma nitrogen ini secara substansial dapat mereduksi temperatur penumbuhan, menjadi sekitar 700 derajat Celcius.